納晶真空等離子體系統(tǒng)

采用了系統(tǒng)優(yōu)化的設(shè)計(jì)思想和多物理場計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)手段。關(guān)鍵單元部件如高效率磁控陰極，電弧陰極，大束流等離子體源等具有******（美國Nanocs）。系統(tǒng)具有專業(yè)化、模塊化、標(biāo)準(zhǔn)化的特點(diǎn)。系統(tǒng)設(shè)計(jì)和制造與材料制備工藝緊密結(jié)合，使整機(jī)系統(tǒng)具有優(yōu)良的性價(jià)比。可應(yīng)用于高密度磁性存儲(chǔ)器、傳感器，薄膜電阻、電容、發(fā)光二極管、平面顯示器、太陽能電池及各種功能薄膜的制備。

ü       適于多種薄膜材料的沉積/刻蝕/表面處理，有強(qiáng)的適用性

ü       系統(tǒng)工業(yè)生產(chǎn)延展性好，制備的相關(guān)材料和工藝可直接產(chǎn)業(yè)化

ü       國際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，模塊化制造集成，有優(yōu)良的性價(jià)比

樣品表面：可實(shí)現(xiàn)等離子體在線清洗、處理等。

樣品傳輸：采用真空閥鎖，磁力桿傳輸。

超高真空系統(tǒng)：分子泵、機(jī)械泵、真空管道及閥門等。

真空測量：低、高復(fù)合真空計(jì)，數(shù)顯、自動(dòng)切換。

電源：直流及射頻（13.56MHz，500－2000W）電源。

控制：手動(dòng)/自動(dòng)控制，計(jì)算機(jī)控制。

系統(tǒng)功能介紹

1、多靶磁控濺射沉積系統(tǒng)：

ü       濺射方式：共聚焦沉積；垂直沉積；對向靶沉積。

ü       磁控陰極：2，3，4英寸圓形磁控陰極，矩形大尺寸磁控陰極。

ü       沉積材料：金屬薄膜, 合金薄膜, 多層薄膜，磁性薄膜，金屬氧化物、氮化物、碳化物等。

ü       真空室：主真空室，輔助真空室，樣品安裝、傳動(dòng)、切換。

2、多功能磁控等離子體系統(tǒng)：

薄膜材料沉積, 刻蝕; 納米材料沉積; 材料表面等離子體處理等

ü       等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD):硅基和碳基薄膜材料（納米管、類金剛石、氧化硅、氮化硅等的沉積）；

ü       材料的表面等離子體清洗、處理等；

3、多功能等離子體實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)：

集磁控濺射和過濾陰極電弧等離子體沉積功能為一體，小型化，高效，高性價(jià)比。

4、脈沖激光等離子體系統(tǒng)：

采用準(zhǔn)分子脈沖激光等離子體制備各種薄膜和納米粉體。

5、過濾陰極電弧等離子體沉積系統(tǒng)：

高速制備薄膜和納米粉體，粒子離化率極高，束流大。

6、離子源輔助沉積刻蝕系統(tǒng)：

采用霍爾離子源，用于薄膜沉積，等離子體處理，清洗及輔助沉積。

7、高密度等離子體表面處理系統(tǒng)：

采用感應(yīng)式射頻（ICP）或微波源產(chǎn)生高密度等離子體，高效低溫等離子體表面氮化、碳化和大面積離子注入。 
薄膜技術(shù)在光電器件、半導(dǎo)體器件、微電子學(xué)等重要領(lǐng)域中,都有著廣泛的應(yīng)甩,并起著關(guān)鍵作用。近幾年來,薄膜技術(shù)發(fā)展很快,,相繼出現(xiàn)了等離子CVD、光CVD、微波CVD等先進(jìn)的成膜技術(shù)。ECR等離子CvD就是在這些技術(shù)的基礎(chǔ)上,新開發(fā)出來的更先進(jìn)的成膜技術(shù)。ECR等離子CvD是電